電磁加熱器可分為全橋和半橋兩種類型，有不少人說半橋電磁加熱器不比全橋電磁加熱器好，事實真的如此嗎？普能小編整理了一些資料，什么是半橋電磁加熱器？主要應用在哪里？

什么是半橋電磁加熱器？主要應用在哪里？

什么是半橋電磁加熱器？主要應用在哪里？

同等功率的情況下半橋電磁加熱器確實沒有全橋的來的穩(wěn)定，但如果電流并非非常大一個模塊足夠的情況下（在不影響其工作以及壽命）完全可以考慮做成半橋的。

IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅動器的原理圖。IGBT基本結構見圖1中的縱剖面圖及等效電路。

IGBT硅片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。如等效電路圖所示(圖1)，其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件?；膽迷诠荏w的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結。

IGBT是一種功率晶體，運用此種晶體設計之UPS可有效提升產品效能，使電源品質好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產品壽命長等多種優(yōu)點。